제조업체 부품 번호 : | AOV11S60 |
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RoHS 상태 : | |
제조업체 / 브랜드 : | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
재고 상태 : | 재고 |
기술 : | MOSFET N-CH 600V 650MA/8A 4DFN |
에서 운송된다 : | 홍콩 |
사양서 : | AOV11S60(1).pdfAOV11S60(2).pdfAOV11S60(3).pdfAOV11S60(4).pdfAOV11S60(5).pdf |
선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
부품 번호 | AOV11S60 |
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제조사 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
기술 | MOSFET N-CH 600V 650MA/8A 4DFN |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | |
사용 가능한 양 | 재고 |
사양서 | AOV11S60(1).pdfAOV11S60(2).pdfAOV11S60(3).pdfAOV11S60(4).pdfAOV11S60(5).pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.1V @ 250µA |
Vgs (최대) | ±30V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | 4-DFN (8x8) |
연속 | aMOS™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 500mOhm @ 3.8A, 10V |
전력 소비 (최대) | 8.3W (Ta), 156W (Tc) |
패키지 / 케이스 | 4-PowerTSFN |
패키지 | Tape & Reel (TR) |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 545 pF @ 100 V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 650mA (Ta), 8A (Tc) |
기본 제품 번호 | AOV11 |
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8
유품MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL
유품100V/ 7.4M/ EXCELLECT LOW FOM MO
재고 RFQN100V,RD(MAX)<250M@10V,VTH1.2V~2
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
유품SOT-23 P -30V -4.1A Transistors
TRENCH >=100V
유품MOSFET PMV77EN TO-236AB REELLP
MOSFET N-CH 600V 18A 5DFB
유품MOSFET N-CH 600V 0.52A 5-DFN
유품